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Electrical Characteristics of IGBT
T C = 25 ° C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristics
BV CES
I CES
I GES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Collector Cut-Off Current
G-E Leakage Current
V GE = 0V, I C = 1mA
V CE = V CES , V GE = 0V
V GE = V GES , V CE = 0V
1500
--
--
--
--
--
--
1.0
± 100
V
mA
nA
On Characteristics
V GE(th)
V CE(sat)
G-E Threshold Voltage
Collector to Emitter
Saturation Voltage
I C = 5mA, V CE = V GE
I C = 5A , V GE = 10V
2.0
--
3.0
4.7
4.0
5.5
V
V
Dynamic Characteristics
C ies
C oes
C res
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V CE = 10V , V GE = 0V,
f = 1MHz
--
--
--
780
130
70
--
--
--
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on)
t r
t d(off)
t f
E on
E off
E ts
Q g
Q ge
Q gc
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-On Switching Loss
Turn-Off Switching Loss
Total Switching Loss
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
V CC = 600 V
I C = 5A
R G =10 ?
V GE = 10V
Inductive Load
T C = 25 ° C
V CE = 600 V, I C = 5A
V GE = 10V
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
10
15
30
70
190
100
290
30
3
15
--
--
50
120
--
--
580
45
5
25
ns
ns
ns
ns
uJ
uJ
uJ
nC
nC
nC
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
SGS5N150UF Rev. B
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